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QP技术实现4倍精度的光刻,这其中有多困难,只有做过才知道。

    而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高,也经历了非常漫长的时间——说白了,这玩意是实在没办法了才去搞的。

    如果国内有EUV,何至于费这么大的劲!

    “10倍精度!22nm!”杨工程师确认道。

    “你们用的什么方法?”于东没有怀疑杨工骗他,这东西就在这儿,骗他没有任何意义,纪弘想跟他谈什么,也不差这一点筹码。

    “最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道:“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上,然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”

    “这……”这种方法于东当然知道,就是最原始的方法。

    但是精度怎么控制啊?这东西在所有的工艺节点上,量产工艺,就没有做过双重以上的,最多就是双重。

    理论倒是非常简单,但做起来那是非常的困难。

    不仅是工件台的移动精度问题,有非常多的问题需要解决。

    稍微对不准一点,一重一重的累积下来就会是天文数字,最终导致全盘都失败。

    换句话说,你动一下都需要保持nm级别的精度,既然有这个技术,直接去改造光刻机都比这个更容易。

    “来,看看我们的历程吧。”没等杨工回答,纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。

    “与传统提升工艺的过程不同,”纪弘介绍道:“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。

    “刻-刻蚀-光刻-刻蚀,也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差,不能四重甚至更多重的LELELELLE,是因为精度不好把握。

    “但,对于我们来说,这反倒是最简单的。对准嘛,机械重复就好了,一次不行那就多来几次。”

    这个过程困难吗?

    对于一般的产线来说,非常困难。

    因为误差有多少,不下产线去检测就不可能知道。

    一次光刻之后,按程序移动,然后二次光刻,所有流程结束了,上检测线了,上封测线了,才能知道哪儿出了问题,良率多少,是不是能够满足量产需求。

    不能的话,去调整,重复上述过程,直到满足需求。

    但宏图微电子这儿呢?就好像里边住了个人。

    机台动了一下,光刻尚未进行:“我对准了没?”

    “好像还差一点。”

    “现在呢?”

    “往右一点。”

    “这会儿呢?”

    “往左一点。”

    “现在呢?这回总可以了吧?”

    “嗯!刻吧!”

    这一刻,精准无比,别说刻三次五次,哪怕十次更多次,只要计算好了,那也完全都没有问题。

    当然,真正的过程不可能是描述的这个样子,但如果拟人化的话,大概是这么个意思。

    这就叫做精度不够,“微调”来凑。一步不到位,咱慢慢调。

    当然,这个慢也是相对的——如果传感数据计算好了,由人来判断和调整,那是真叫慢——光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。

    但这个时候判断是否对准以及做出决策的,是类思维AI工业模型结合机器视觉以及维纳传感,这速度立即就上去了。

    ……

    而于东看着这几天的数据,人有些麻。

    这东西还不是一天成型的,从数据中可以明显看出,第一天的时候,双重曝光都还有些费劲,效果很不理想。

    但成长贼快——随着一次又一次的尝试,一次又一次的训练,这套系统是越来越强,直到今天自己看到的这样一种十倍精度光刻的效果。

    而这说起来还要多亏了王华新院士这个【微纳制造与智能传感技术】国内顶尖专家,如若不然,还真不一定能够达到现在的这种训练效果。

    (本章完)

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